Per què el nitrur de gal·li és millor que el silici?

En comparació amb el silici, l'avantatge de GaN es redueix a l'eficiència energètica. Com va explicar GaN Systems, un fabricant professional de nitrur de gal·li:

"Tots els materials semiconductors tenen l'anomenat band gap. Aquest és el rang d'energia en el qual no poden existir electrons en un sòlid. En resum, el band gap està relacionat amb la conductivitat elèctrica del material sòlid. El band gap del nitrur de gal·li és de 3,4 eV, mentre que el del silici és d'1,12 eV. El nitrur de gal·li té un buit de banda més ampli, la qual cosa significa que pot suportar voltatges més alts i temperatures més altes que el silici".

Un altre fabricant de GaN, Efficient Power Conversion Corporation, va dir que l'eficiència de guia d'electrons de GaN és 1,000 vegades la del silici i el seu cost de fabricació és més baix.

Una eficiència de banda buida més alta significa que el corrent pot passar a través dels xips GaN més ràpidament que els xips de silici, cosa que pot conduir a una potència de processament més ràpida en el futur. En resum, els xips fets de GaN seran més ràpids, més petits, més eficients energèticament i (eventualment) més barats que els xips de silici.

És previsible que no veieu fàcilment molts carregadors GaN abans que grans fabricants de maquinari (com Apple i Samsung) comencin a incloure-los en ordinadors i telèfons intel·ligents nous.