Història del desenvolupament del transistor
Nov 02, 2019| Mantingueu-vos carregant amb seguretat amb SChitec
Història del desenvolupament del transistor
El 23 de desembre de 1947, als Bell Labs de Murray Hill, Nova Jersey, tres científics: el Dr. Bading, el doctor Brighton i el doctor Shawley, van experimentar nerviosament i metòdicament. Estan experimentant amb l'amplificació de senyals sonores amb cristalls semiconductors en circuits conductors. Tres científics es van sorprendre al trobar que una petita quantitat de corrent que passa pel dispositiu que van inventar podria controlar un corrent molt més gran que flueix per l'altra part, produint així un efecte d'amplificació. Aquest dispositiu és un èxit històric en la història de la ciència i la tecnologia: el transistor. Com que es va inventar la vigília de Nadal i té un impacte tan gran en la vida futura de la gent, s'anomena "un regal de Nadal al món". Així, els tres científics van guanyar el Premi Nobel de Física l'any 1956.
[2] Una nova investigació ha trobat que una capa de material corresponent es pot dipositar fora del substrat a l'extrem de sortida de l'electró del transistor per formar una estructura PN refrigerada per semiconductors perquè el nivell d'energia electrònica del material N és baix i l'energia d'electrons. El nivell del material P és alt. Quan passa, cal extreure calor del substrat, la qual cosa proporciona una bona manera per a la dissipació de calor del nucli del transistor. Com que la calor que s'emporta és proporcional a la magnitud del corrent, la indústria també l'anomena tecnologia de refrigeració de "sang electrònica". Els nous triodes de refrigeració s'anomenen N-PNP o NPN-P, depenent de la polaritat del nou material afegit.
Els transistors promouen i provoquen una "revolució d'estat sòlid", que al seu torn impulsa la indústria de l'electrònica de semiconductors a tot el món. Com a component principal, s'ha aplicat en primer lloc a les eines de comunicació de manera oportuna i universal, i ha produït enormes beneficis econòmics. Com que els transistors han canviat completament l'estructura dels circuits electrònics, han sorgit circuits integrats i circuits integrats a gran escala, i la fabricació de dispositius d'alta precisió com els ordinadors electrònics d'alta velocitat s'ha convertit en una realitat.


