Transistor d'un sol electró
Nov 05, 2019| Mantingueu-vos carregant amb seguretat amb SChitec
Transistor d'un sol electró
Un transistor que pot gravar un senyal amb un o una petita quantitat d'electrons. Amb el desenvolupament de la tecnologia i els processos de gravat de semiconductors, la integració de circuits integrats a gran escala és cada cop més alta. En el cas de la memòria dinàmica d'accés aleatori (DRAM), la seva integració és gairebé quatre vegades més ràpida cada dos anys. S'espera que els transistors d'un sol electró siguin l'objectiu final. Actualment, la memòria general conté 200,000 electrons per cèl·lula de memòria, i el transistor d'un sol electró conté només un o una petita quantitat d'electrons per cèl·lula de memòria, de manera que reduirà molt el consum d'energia i millorarà la integració de la integració. circuits. El 1989, JHFScott-Thomas et al. va trobar experimentalment un bloqueig de Coulomb. Al gas d'electrons bidimensional format per la interfície de l'heterounió dopada, es forma un elèctrode metàl·lic amb una petita àrea, de manera que es forma un punt quàntic al gas d'electrons bidimensional, que només pot acomodar una petita quantitat d'electrons. , és a dir, la seva capacitat. Molt petit, menys d'un? F (10~15 Farah). Quan s'aplica una tensió, si el canvi de tensió fa que el canvi de càrrega en el punt quàntic sigui inferior a una càrrega d'electró, no passarà corrent. El corrent no passa fins que la tensió augmenta per provocar un canvi en la càrrega d'electrons. Per tant, la relació corrent-tensió no és una relació lineal normal sinó una forma escalonada. Per primera vegada a la història, aquest experiment va aconseguir el control manual del moviment d'un electró, proporcionant una base experimental per a la fabricació de transistors d'un sol electró. Per millorar la temperatura de funcionament dels transistors d'un sol electró, la mida dels punts quàntics ha de ser inferior a 10 nanòmetres. Actualment, diversos laboratoris d'arreu del món estan pensant en diferents maneres de resoldre aquest problema. Alguns laboratoris afirmen haver produït transistors d'un sol electró que operen a temperatura ambient, observant la corba escalonada de corrent-tensió formada pel transport d'electrons, però a una distància considerable de l'ús pràctic.


