SBD d'alta tensió

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SCHitec) és una empresa d'alta tecnologia especialitzada en la producció i venda d'accessoris per a telèfons. Els nostres productes principals inclouen carregadors de viatge, carregadors de cotxes, cables USB, bancs d'alimentació i altres productes digitals. Tots els productes són segurs i fiables, amb un estil únic. Els productes passen certificats com CE, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick, etc. , Si us interessa, podeu contactar directament amb ceo@schitec.com.

Mantingueu-vos carregant amb seguretat amb SChitec

SBD d'alta tensió

Durant molt de temps, a la sortida de 12v-24v SMPS, només s'ha seleccionat 100V SBD o 200V Fred com a rectificador d'alta freqüència al costat secundari. A la sortida de 24 v-48 V SMPS, només s'ha seleccionat 200 v-400 V Fred. Els dissenyadors necessiten urgentment 150vsbd entre 100V i 200V i 200vsbd per a SMPS de sortida de 48V. En els darrers dos anys, l'empresa nord-americana d'IR, l'empresa apt i l'empresa ST han desenvolupat SBD de 150 V i 200 V successivament amb l'objectiu de les grans oportunitats de negoci de l'SBD d'alta tensió. En comparació amb l'SBD original de baixa pressió, l'SBD d'alta pressió té un procés d'unió PN, formant una estructura híbrida de barrera Schottky i unió PN, tal com es mostra a la figura 2. La tensió de ruptura de SBD amb aquesta estructura és suportada per la unió PN. . En ajustar la resistivitat de la regió N, el gruix de la capa epitaxial i la profunditat de difusió de la regió P +, la tensió de ruptura de la polarització inversa trenca la barrera insuperable a llarg termini de 100 V, arribant a 150 V i 200 V. En el biaix directe, la tensió de llindar de conducció de la unió PN d'alta tensió SBD és de 0,6 V, mentre que la tensió de la unió de la barrera Schottky és només d'uns 0,3 V, de manera que el corrent directe és gairebé subministrat per la barrera Schottky.

Per resoldre el problema de degradació de la barrera Schottky que SBD és fàcil de produir a alta temperatura, que canvia de contacte rectificador de semiconductor metàl·lic a contacte òhmic i perd conductivitat, l'empresa apta va formar una barrera de silici metàl·lic de siliciur metàl·lic mitjançant un tractament de recuit, millorant així l'alt nivell. rendiment de temperatura i fiabilitat de la barrera Schottky.

El 150vsbd desenvolupat per l'empresa ST està especialment dissenyat per substituir el rectificador d'alta freqüència de 2{0{0V Fred a la sortida de 12v-24v SMPS. Igual que stps16150ct SBD amb corrent nominal de 2 × 8a, la tensió d'arrencada és de 0,07 v (el valor típic és de 0,47 v) inferior a 200 V / 2 × 8afred (com ara strr162ct), la resistència d'encesa Rd (125 graus) és de 6,5 mΩ (6,5 mΩ). el valor típic és de 40 m Ω) i la pèrdua d'encesa és de 0,18 w (el valor típic és de 1,14 w).

Apt100s20b, apt100s20lct i apt2 × 10is20 tipus 200vsbd són introduïts per l'empresa apt. El corrent directe mitjà si (AV) és de 100 A, caiguda de tensió directa VF Menor o igual a 0,95 V, energia d'allau EAS=100mJ. L'expressió d'EAS és

EAS=VRRM×IAS×td

A la fórmula, VRRM de 200vsbd=200V, IAS és el corrent d'allau i IAS ≈ si=100A, EAS=100mJ. El temps de manteniment sense cremar sota IAS: td=EAS / (VRRM × IAS)=1000mj / (200V × 100a)=5 μ s. És a dir, quan IAS=100A després d'una allau, SBD pot assegurar que el dispositiu no es farà malbé en 5 μ s. L'EAS és un paràmetre important per provar la fiabilitat de la barrera Schottky. El SBD de 200V / 100A pot substituir el Fred de valor constant a la comunicació SMPS de sortida de 48V, que pot reduir la pèrdua del rectificador en un 10% ~ 15%. A causa de la recuperació suau súper ràpida i de l'energia d'allau de SBD, la freqüència i la fiabilitat del sistema es milloren i l'EMI també es millora significativament.

La gent de la indústria creu que, fins i tot si no s'utilitzen nous materials semiconductors, s'espera que la tensió de resistència de SBD superi els 200 V mitjançant la innovació de procés i disseny, però en general no superarà els 600 V.