Avantatges i desavantatges del díode Schottky

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SCHitec) és una empresa d'alta tecnologia especialitzada en la producció i venda d'accessoris per a telèfons. Els nostres productes principals inclouen carregadors de viatge, carregadors de cotxes, cables USB, bancs d'alimentació i altres productes digitals. Tots els productes són segurs i fiables, amb models únics. Els productes passen certificats com CE, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick, etc. , Si us interessa, podeu contactar directament amb ceo@schitec.com.

Mantingueu-vos carregant amb seguretat amb SChitec

Avantatges i desavantatges del díode Schottky

Avantatge

SBD té els avantatges d'una alta freqüència de commutació i una baixa tensió directa, però la seva tensió de ruptura inversa és relativament baixa, la majoria de les quals no és superior a 60 V, i la més alta només és d'uns 100 V, cosa que limita el seu rang d'aplicació. Per exemple, en circuits SMPS i PFC, el díode de corrent continu del dispositiu d'interruptor d'alimentació, el díode rectificador d'alta freqüència de més de 100 V per al secundari del transformador, el díode d'alta velocitat de 600 v-1.2kv per al circuit de memòria intermèdia RCD i el Díode de 600 V per al circuit de reforç PFC, només s'utilitzen el díode epitaxial de recuperació ràpida (Fred) i el díode de recuperació ultra ràpida (ufrd). El temps de recuperació inversa TRR d'ufrd també supera els 20ns, cosa que no pot satisfer les necessitats de SMPS d'1MHz ~ 3MHz en camps com l'estació espacial. Fins i tot per a SMPS amb un interruptor dur de 100 kHz, a causa de la gran pèrdua de conducció i la pèrdua de commutació d'ufrd i l'alta temperatura de la carcassa, es requereix un radiador gran, que augmenta el volum i el pes de l'SMPS, que no està en línia amb la tendència de desenvolupament de la miniaturització. i primesa. Per tant, el desenvolupament de SBD d'alta tensió per sobre de 100 V sempre ha estat un tema d'investigació i un tema candent. En els darrers anys, SBD ha fet un gran progrés. S'han posat al mercat SBD d'alta pressió de 150V i 200V i també s'han desenvolupat amb èxit més d'1kV SBD fets amb nous materials, injectant així nova vitalitat i vitalitat a la seva aplicació.

mancança

El major desavantatge del díode Schottky és la seva baixa polarització inversa i el gran corrent de fuga inversa. Per exemple, la tensió de polarització inversa nominal del díode Schottky de silici i metall és de només 50 V, mentre que el valor del corrent de fuga inversa és una característica de temperatura positiva, que és fàcil d'augmentar ràpidament amb l'augment de la temperatura. En el disseny pràctic, hem de parar atenció a la preocupació oculta de la seva fuga tèrmica. Per evitar els problemes anteriors, la polarització inversa del díode Schottky serà molt menor que el seu valor nominal en ús real. Tanmateix, la tecnologia dels díodes Schottky també s'ha millorat i la seva tensió de polarització inversa pot arribar a 200 V.